Aufgabe 9.8
Quadratische Temperaturabhängigkeit des Widerstandes
Die \( I \)-\( U \)-Kennlinie einer Halbleiterdiode (pn-Übergang) wird durch den Zusammenhang (Gleichung (75)) beschrieben. \( U_\mathrm{T} \) ist die sogenannte Temperaturspannung, sie beträgt bei Raumtemperatur ca. \( 25 \, \mathrm{mV} \). Für \( m \) gelte \( m = 1 \). \( I_\mathrm{S} \) ist der Sperrsättigungsstrom.
| a) | Mittels des \( I \)-\( U \)-Diagramms sind die Kennlinien für eine Siliziumdiode mit \( I_\mathrm{S} = 1 \, \mathrm{pA} \) und für eine Germaniumdiode mit
\( I_\mathrm{S} = 1 \, \mathrm{mA} \) zur Anzeige zu bringen. Durch Ablesen aus den Kennlinien bzw. analytisch ist die Knick- oder Schleusenspannung der Dioden zu ermitteln,
wenn der Dauerdurchlassstrom jeweils \( 200 \, \mathrm{mA} \) beträgt. |
| b) | Die grafische und analytische Lösung bei wählbaren Parametern erhält man mit dem MathCad-Arbeitsblatt Kennlinien von Halbleiterdioden. |
